780nm bredstribet DFB-laser opnår 10W strømgennembrud, hvilket fremmer udviklingen af højeffekt smalspektrede bred-lasere
galliumarsenid
CTO
DFB
De
InGaAs
De
del
præstation
tur
bil
rat
design
ur
Sichuan
laser
Laser
ring
tab
gitter
udgang
år
Wang Jun
udvikle
anvendelse
industri
bil
2024-12-26 00:34
0
For nylig har forskerholdet fra Changguang Huaxin CTO og professor Wang Jun fra Sichuan University med succes udviklet en 780nm wide-stripe distributed feedback (DFB) laser, der opnår et stort gennembrud med en kontinuerlig udgangseffekt på mere end 10W ved stuetemperatur. Laseren bruger InGaAsP/InGaP-materiale Ved at optimere gitterdesign og materialevækst løser den problemerne med overdreven spektralbredde og dårlig bølgelængdestabilitet af traditionelle Fabry-Pérot (FP) lasere. Denne præstation bringer ikke kun nye muligheder for videnskabelige og industrielle anvendelser, men giver også en teknisk reference til design af lasere i andre bølgelængdebånd.
