A 780 nm-es széles sávú DFB lézer 10 W teljesítményű áttörést ér el, elősegítve a nagy teljesítményű, keskeny spektrumú széles lézerek fejlesztését

A közelmúltban a Changguang Huaxin technológiai igazgató és Wang Jun professzor, a Szecsuáni Egyetem kutatócsoportja sikeresen kifejlesztett egy 780 nm széles sávos elosztott visszacsatolású (DFB) lézert, amely jelentős áttörést ért el a szobahőmérsékleten 10 W-ot meghaladó folyamatos kimeneti teljesítmény terén. A lézer InGaAsP/InGaP anyagot használ, és megoldja a hagyományos Fabry-Pérot (FP) lézerek túlzott spektrális szélességének és gyenge hullámhossz-stabilitásának problémáit a rácsok kialakításának és az anyagnövekedés optimalizálásával. Ez az eredmény nemcsak a tudományos és ipari alkalmazások számára kínál új lehetőségeket, hanem műszaki referenciaként szolgál más hullámhossz-sávú lézerek tervezéséhez is.