Los cuatro principales avances tecnológicos de Changguang Huaxin en 2024

Changguang Huaxin ha logrado importantes avances en la mejora del rendimiento de los chips láser semiconductores, incluida la potencia del chip de un solo tubo de unión múltiple EEL que supera los 132 W, la potencia del láser DFB de banda ancha EEL de 780 nm que supera los 10 W, la eficiencia electroóptica VCSEL de unión múltiple VCSEL que alcanza el 74 %. , y VCSEL monomodo La eficiencia energética VCSEL bate el récord mundial. Estos resultados han sido publicados en revistas de renombre internacional.