ความก้าวหน้าทางเทคโนโลยีที่สำคัญสี่ประการของ Changguang Huaxin ในปี 2024

Changguang Huaxin ได้สร้างความก้าวหน้าครั้งสำคัญในการปรับปรุงประสิทธิภาพของชิปเลเซอร์เซมิคอนดักเตอร์ ซึ่งรวมถึงพลังงานชิปหลอดเดียวแบบหลายทางแยก EEL ที่เกิน 132W, พลังงานเลเซอร์ DFB แถบกว้าง EEL 780nm ที่เกิน 10W, ประสิทธิภาพแสงเลเซอร์ VCSEL หลายทางแยก VCSEL สูงถึง 74% และประสิทธิภาพพลังงาน VCSEL โหมดเดียวของ VCSEL ทำลายสถิติโลก ผลลัพธ์เหล่านี้ได้รับการตีพิมพ์ในวารสารที่มีชื่อเสียงระดับนานาชาติ