Changguang Huaxin quattuor maioris technologici breakthroughs in 2024
ore Lorem "
DFB
VCSEL
chip
res
bus
bus
bus
potentia
laser
electro
semiconductor
mori
efficientiam
memoria
2024-12-26 00:35
0
Changguang Huaxin majores breakthroughs fecit in meliore faciendo scapulae semiconductoris laseris, incluso EEL multi- junctionis unius fistulae chip potentiae superans 132W, EEL 780nm clavum latum DFB potentia laseris superans 10W, VCSEL multi- juncturas VCSEL electro-opticas efficientiam 74% attingens et VCSEL unus modus VCSEL Virtus efficiens mundi memoriam frangit. Hi eventus in diariis celeberrimis internationalibus divulgati sunt.
