Changguang Huaxin irundy mba’e tuichavéva tecnológico ary 2024-pe

Changguang Huaxin ojapo tuicha mba'e omohenda porãvo rendimiento chip láser semiconductor, oimehápe chip multijunción EEL tubo único orekóva potencia ohasáva 132W, láser DFB raya amplia EEL 780nm orekóva potencia ohasáva 10W, VCSEL multijunción VCSEL eficiencia electroóptica oguahëva 74%, ha VCSEL modo único VCSEL eficiencia Potencia omboty récord mundial. Ko'ã resultado oñemoherakuã revista internacionalmente reconocida-pe.