Hantian Tiancheng Electronic Technology strebt einen Börsengang im Science and Technology Innovation Board an und plant, 3,5 Milliarden aufzubringen, um die Produktion von Siliziumkarbid-Epitaxiewafern auszuweiten.

Kürzlich wurde der IPO-Antrag des Science and Technology Innovation Board von Hantian Tiancheng Electronic Technology (Xiamen) Co., Ltd. (Abkürzung: Hantian Tiancheng) von der Shanghai Stock Exchange angenommen und es ist geplant, 3,5 Milliarden Yuan für den Ausbau der Siliziumkarbid-Epitaxie aufzubringen Wafer-Produktionskapazität. Hantian Tiancheng ist ein auf Forschung und Entwicklung, Produktion und Vertrieb von Siliziumkarbid-Epitaxiewafern spezialisiertes Unternehmen mit einer monatlichen Produktionskapazität von 40.000 Wafern. Zhao Jianhui, Vorsitzender des Unternehmens, ist der eigentliche Controller des Unternehmens. Feng Gan, der Leiter des Forschungs- und Entwicklungsteams, hat in mehreren Forschungseinrichtungen in Japan gearbeitet und ist seit 2011 Vizepräsident für Forschung und Entwicklung des Unternehmens. Hubble Investment, eine Tochtergesellschaft von Huawei, hält 4,197 % der Hantian Tiancheng-Aktien.