Baishi Electronics hat eine A+-Finanzierungsrunde abgeschlossen, um das Layout der Halbleiterepitaxie der dritten Generation zu beschleunigen

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. (im Folgenden „Baishi Electronics“ genannt) hat die A+-Finanzierungsrunde unter Beteiligung vieler namhafter Institutionen abgeschlossen. Die Produktion von Halbleiter-Epitaxiewafern der dritten Generation wird beschleunigt. Derzeit kann das Unternehmen 6-Zoll- und 8-Zoll-SiC/GaN-Epitaxiewafer liefern, darunter 3300-V-Siliziumkarbid-Epitaxiewafer, die eine hohe Ausbeute und eine qualitativ hochwertige Produktion erzielt haben.