A Baishi Electronics concluiu a rodada A+ de financiamento para acelerar o layout da epitaxia semicondutora de terceira geração

(doravante denominada "Baishi Electronics") concluiu a rodada de financiamento A+, com a participação de muitas instituições conhecidas. A produção de wafers epitaxiais semicondutores de terceira geração será acelerada. Atualmente, a empresa pode fornecer wafers epitaxiais de SiC/GaN de 6 e 8 polegadas, entre os quais os wafers epitaxiais de carboneto de silício de 3300V alcançaram alto rendimento e produção de alta qualidade.