Baishi Electronics completó la ronda de financiación A+ para acelerar el diseño de la epitaxia de semiconductores de tercera generación

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. (en lo sucesivo, "Baishi Electronics") completó la ronda de financiación A+, con la participación de muchas instituciones reconocidas. Se acelerará la producción de obleas epitaxiales semiconductoras de tercera generación. Actualmente, la empresa puede proporcionar obleas epitaxiales de SiC/GaN de 6 y 8 pulgadas, entre las cuales las obleas epitaxiales de carburo de silicio de 3300 V han logrado un alto rendimiento y una producción de alta calidad.