Baishi Electronics ha completato il round di finanziamento A+ per accelerare il layout dell'epitassia dei semiconduttori di terza generazione

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. (di seguito denominata "Baishi Electronics") ha completato il round di finanziamento A+, con la partecipazione di molte istituzioni rinomate. La produzione di wafer epitassiali semiconduttori di terza generazione verrà accelerata. Attualmente, l'azienda è in grado di fornire wafer epitassiali SiC/GaN da 6 pollici e 8 pollici, tra i quali i wafer epitassiali in carburo di silicio da 3300 V hanno raggiunto un rendimento elevato e una produzione di alta qualità.