Baishi Electronics huet A+ Finanzéierungsronn ofgeschloss fir de Layout vun der Drëtt Generatioun Hallefleit Epitaxy ze beschleunegen

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. D'Produktioun vun drëtt-Generatioun semiconductor epitaxial wafers wäert beschleunegt ginn. Momentan kann d'Firma 6-Zoll an 8-Zoll SiC / GaN epitaxial Wafers ubidden, dorënner 3300V Siliciumcarbid Epitaxial Wafers hunn eng héich Ausbezuelung an héichqualitativ Produktioun erreecht.