Baishi Electronics fullførte A+-finansieringsrunde for å akselerere utformingen av tredjegenerasjons halvlederepitaksi

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. (heretter referert til som "Baishi Electronics") fullførte A+-finansieringsrunden, med deltagelse av mange kjente institusjoner. Produksjonen av tredjegenerasjons halvlederepitaksiale wafere vil bli akselerert. Foreløpig kan selskapet tilby 6-tommers og 8-tommers SiC/GaN epitaksiale wafere, blant hvilke 3300V silisiumkarbid epitaksiale wafere har oppnådd høyt utbytte og produksjon av høy kvalitet.