Baishi Electronics завершила раунд финансирования A+ для ускорения разработки системы эпитаксии полупроводников третьего поколения

Компания Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. (далее именуемая «Baishi Electronics») завершила раунд финансирования A+ с участием многих известных учреждений. Будет ускорено производство полупроводниковых эпитаксиальных пластин третьего поколения. В настоящее время компания может поставлять 6-дюймовые и 8-дюймовые эпитаксиальные пластины SiC/GaN, среди которых эпитаксиальные пластины из карбида кремния 3300 В достигли высокого выхода и высокого качества производства.