Baishi Electronics a finalizat runda A+ de finanțare pentru a accelera configurarea epitaxiei semiconductoare de a treia generație

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. (denumită în continuare „Baishi Electronics”) a finalizat runda A+ de finanțare, cu participarea multor instituții bine-cunoscute. Producția de plachete epitaxiale semiconductoare de a treia generație va fi accelerată. În prezent, compania poate furniza plachete epitaxiale SiC/GaN de 6 inchi și 8 inci, printre care napolitanele epitaxiale cu carbură de siliciu de 3300 V au obținut un randament ridicat și o producție de înaltă calitate.