Baishi Electronics pabeidza A+ finansējuma kārtu, lai paātrinātu trešās paaudzes pusvadītāju epitaksijas izkārtojumu

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. (turpmāk tekstā "Baishi Electronics") pabeidza A+ finansēšanas kārtu, piedaloties daudzām pazīstamām iestādēm. Tiks paātrināta trešās paaudzes pusvadītāju epitaksiālo plāksnīšu ražošana. Šobrīd uzņēmums var nodrošināt 6 collu un 8 collu SiC/GaN epitaksiālās vafeles, starp kurām 3300V silīcija karbīda epitaksiālās vafeles ir sasniegušas augstu ražu un augstas kvalitātes ražošanu.