Baishi Electronics завершила раунд фінансування A+ для прискорення макета напівпровідникової епітаксії третього покоління

Компанія Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. (надалі іменується як «Baishi Electronics») завершила раунд фінансування A+ за участю багатьох відомих установ. Буде прискорено виробництво напівпровідникових епітаксіальних пластин третього покоління. В даний час компанія може надати 6-дюймові та 8-дюймові епітаксіальні пластини SiC/GaN, серед яких епітаксіальні пластини з карбіду кремнію 3300 В досягли високої продуктивності та високої якості виробництва.