Baishi Electronics lõpetas A+ rahastamisvooru, et kiirendada kolmanda põlvkonna pooljuhtide epitaksia paigutust

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd. (edaspidi "Baishi Electronics") lõpetas A+ rahastamisvooru, kus osalesid paljud tuntud institutsioonid. Kiirendatakse kolmanda põlvkonna pooljuht-epitaksiaalplaatide tootmist. Praegu saab ettevõte pakkuda 6- ja 8-tollisi SiC/GaN epitaksiaalvahvleid, mille hulgas on 3300 V ränikarbiidi epitaksiaalvahvlid saavutanud suure saagise ja kõrge kvaliteediga toodangu.