Baishi Electronics دور A+ تامین مالی را برای تسریع طرح اپیتاکسی نیمه هادی نسل سوم تکمیل کرد.

85
شرکت فناوری الکترونیک نانجینگ بایشی (که از این پس "بایشی الکترونیک" نامیده می شود) دور A+ تامین مالی را با مشارکت بسیاری از موسسات معروف تکمیل کرد. تولید ویفرهای اپیتاکسیال نیمه هادی نسل سوم تسریع خواهد شد. در حال حاضر، این شرکت می تواند ویفرهای همپوست SiC/GaN 6 اینچی و 8 اینچی را ارائه دهد که در این میان ویفرهای اپیتاکسیال کاربید سیلیکون 3300 ولت بازدهی بالا و تولید با کیفیت بالایی را به دست آورده اند.