Baishi Electronics-მა დაასრულა დაფინანსების A+ რაუნდი მესამე თაობის ნახევარგამტარული ეპიტაქსიის განლაგების დასაჩქარებლად

Nanjing Baishi Electronic Technology Co., Ltd.-მ (შემდგომში „Baishi Electronics“) დაასრულა დაფინანსების A+ რაუნდი მრავალი ცნობილი ინსტიტუტის მონაწილეობით. დაჩქარდება მესამე თაობის ნახევარგამტარული ეპიტაქსიალური ვაფლის წარმოება. ამჟამად კომპანიას შეუძლია უზრუნველყოს 6 დიუმიანი და 8 დიუმიანი SiC/GaN ეპიტაქსიალური ვაფლები, რომელთა შორის 3300 ვ სილიციუმის კარბიდის ეპიტაქსიალური ვაფლები მიაღწიეს მაღალ მოსავლიანობას და მაღალი ხარისხის წარმოებას.