Xingyao Semiconductor hëlt e wichtege Schrëtt a setzt den 5G Radiofrequenzfilter Chip Wafer Produktiounslinn Projet a Produktioun

Zhejiang Xingyao Semiconductor Co., Ltd. huet eng Inbetriebszeremonie fir den 5G Radiofrequenzfilter Chip Wafer Produktiounslinnprojet am Wenzhou Bay New District a Longwan District ofgehalen, e wichtege Schrëtt fir Xingyao Semiconductor vu Fabless bis IDM markéiert. De Projet huet eng Gesamtinvestitioun vu 750 Milliounen Yuan a gëtt erwaart eng jäerlech Ausgab vun 120.000 High-Performance Radiofrequenzfilterwafers z'erreechen nodeems se a Produktioun gesat ginn. Xingyao ass déi éischt integréiert Circuitfirma zu Wenzhou D'Inbetrieb vun dësem Projet bedeit datt d'Firma graduell eng komplett industriell Kette vum Chipdesign an der Entwécklung, der Waferfabrikatioun, der Verpackung an dem Test bis zum Verkaf geformt huet.