Tianke Heda silicon carbide wafer ၏ ဒုတိယအဆင့် တိုးချဲ့မှုပရောဂျက်၏ အဓိကကိုယ်ထည်သည် ပြီးစီးပြီဖြစ်သည်။

Tianke Heda ကုမ္ပဏီသည် ၎င်း၏ ဒုတိယအဆင့် ဆီလီကွန်ကာဘိုင်ဝေဖာ တိုးချဲ့မှု ပရောဂျက်တွင် တိုးတက်မှုအသစ်များ ပြုလုပ်ခဲ့သည်။ စီမံကိန်း၏ စုစုပေါင်း ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုမှာ ယွမ် သန်း ၈၃၀ ဖြစ်ပြီး စုစုပေါင်း ဆောက်လုပ်ရေး ဧရိယာမှာ စတုရန်းမီတာ ၄၉၀၀၀ ဖြစ်သည်။ လက်ရှိတွင် ပင်မတည်ဆောက်ရေးစီမံကိန်း ပြီးစီးနေပြီဖြစ်ပြီး အတွင်းပိုင်းနှင့် ပြင်ပတပ်ဆင်ရေး လုပ်ငန်းများ ဆောင်ရွက်နေပါသည်။ ဩဂုတ်လတွင် ပြီးစီးပါက နှစ်စဉ် ဆီလီကွန်ကာဗိုက်အလွှာ ပေါင်း ၁၆၀,၀၀၀ ၏ ထုတ်လုပ်မှု ရည်မှန်းချက် အောင်မြင်မည်ဟု မျှော်လင့်ရသည်။