英飛凌推出首款2000V CoolSiC™ MOSFET分立元件

英飛凌近日發表了市場上首個具備2000V擊穿電壓的CoolSiC™ MOSFET分立元件。該裝置具有較低的開關損耗，並採用了TO-247PLUS-4-HCC封裝，爬電距離為14mm，電氣間隙為5.4mm。這些特性使其非常適合應用於1500VDC的光伏組串逆變器、儲能係統和電動車充電等領域。