Infineon bringt das erste diskrete 2000-V-CoolSiC™-MOSFET-Gerät auf den Markt

Infineon hat kürzlich das erste diskrete CoolSiC™ MOSFET-Gerät mit einer Durchbruchspannung von 2000 V auf den Markt gebracht. Das Gerät weist geringe Schaltverluste auf und ist in einem TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse mit einer Kriechstrecke von 14 mm und einem elektrischen Abstand von 5,4 mm erhältlich. Aufgrund dieser Eigenschaften eignet es sich hervorragend für Anwendungen in 1500-V-DC-Photovoltaik-Strangwechselrichtern, Energiespeichersystemen und zum Laden von Elektrofahrzeugen.