Infineon lance le premier dispositif discret MOSFET CoolSiC™ 2 000 V

Infineon a récemment lancé le premier dispositif discret CoolSiC™ MOSFET du marché avec une tension de claquage de 2 000 V. Le dispositif présente de faibles pertes de commutation et est disponible dans un boîtier TO-247PLUS-4-HCC avec une ligne de fuite de 14 mm et un dégagement électrique de 5,4 mm. Ces caractéristiques le rendent très adapté aux applications dans les onduleurs photovoltaïques de 1 500 V CC, les systèmes de stockage d'énergie et la recharge des véhicules électriques.