Infineon lança primeiro dispositivo discreto CoolSiC™ MOSFET de 2000V

A Infineon lançou recentemente o primeiro dispositivo discreto CoolSiC™ MOSFET do mercado com tensão de ruptura de 2.000 V. O dispositivo tem baixas perdas de comutação e está disponível em um pacote TO-247PLUS-4-HCC com distância de fuga de 14 mm e folga elétrica de 5,4 mm. Essas características o tornam muito adequado para aplicações em inversores string fotovoltaicos de 1500VDC, sistemas de armazenamento de energia e carregamento de veículos elétricos.