Infineon lanceert het eerste 2000V CoolSiC™ MOSFET discrete apparaat

Infineon heeft onlangs het eerste discrete CoolSiC™ MOSFET-apparaat op de markt gebracht met een doorslagspanning van 2000 V. Het apparaat heeft lage schakelverliezen en is verkrijgbaar in een TO-247PLUS-4-HCC-pakket met een kruipweg van 14 mm en een elektrische speling van 5,4 mm. Deze kenmerken maken hem zeer geschikt voor toepassingen in 1500VDC fotovoltaïsche stringomvormers, energieopslagsystemen en het opladen van elektrische voertuigen.