Infineon lanza el primer dispositivo discreto MOSFET CoolSiC™ de 2000 V

Infineon lanzó recientemente el primer dispositivo discreto MOSFET CoolSiC™ del mercado con un voltaje de ruptura de 2000 V. El dispositivo tiene bajas pérdidas de conmutación y está disponible en un encapsulado TO-247PLUS-4-HCC con una distancia de fuga de 14 mm y un espacio libre eléctrico de 5,4 mm. Estas características lo hacen muy adecuado para aplicaciones en inversores string fotovoltaicos de 1500VDC, sistemas de almacenamiento de energía y carga de vehículos eléctricos.