Infineon lancia il primo dispositivo discreto MOSFET CoolSiC™ da 2000 V

Infineon ha recentemente lanciato sul mercato il primo dispositivo discreto MOSFET CoolSiC™ con una tensione di rottura di 2000 V. Il dispositivo presenta basse perdite di commutazione ed è disponibile in un contenitore TO-247PLUS-4-HCC con una distanza superficiale di 14 mm e una distanza elettrica di 5,4 mm. Queste caratteristiche lo rendono molto adatto per applicazioni in inverter di stringa fotovoltaici da 1500 V CC, sistemi di accumulo di energia e ricarica di veicoli elettrici.