Infineon выпускает первое дискретное устройство CoolSiC™ MOSFET с напряжением 2000 В

Недавно компания Infineon выпустила первое на рынке дискретное устройство CoolSiC™ MOSFET с напряжением пробоя 2000 В. Устройство имеет низкие коммутационные потери и выпускается в корпусе TO-247PLUS-4-HCC с путем утечки 14 мм и электрическим зазором 5,4 мм. Эти характеристики делают его очень подходящим для применения в инверторах фотоэлектрических цепочек напряжением 1500 В постоянного тока, системах хранения энергии и зарядке электромобилей.