Infineon uvádí na trh první diskrétní zařízení CoolSiC™ MOSFET 2000 V

Společnost Infineon nedávno uvedla na trh první diskrétní zařízení CoolSiC™ MOSFET s průrazným napětím 2000 V. Zařízení má nízké spínací ztráty a je k dispozici v pouzdru TO-247PLUS-4-HCC s povrchovou dráhou 14 mm a elektrickou vůlí 5,4 mm. Díky těmto vlastnostem je velmi vhodný pro aplikace v 1500VDC fotovoltaických řetězcových invertorech, systémech skladování energie a nabíjení elektromobilů.