Az Infineon piacra dobja az első 2000 V-os CoolSiC™ MOSFET diszkrét eszközt

Az Infineon a közelmúltban kiadta a piac első CoolSiC™ MOSFET diszkrét eszközét 2000 V áttörési feszültséggel. Az eszköz alacsony kapcsolási veszteséggel rendelkezik, és TO-247PLUS-4-HCC csomagban kapható, 14 mm-es kúszótávolsággal és 5,4 mm-es elektromos hézaggal. Ezek a jellemzők nagyon alkalmassá teszik az 1500 VDC fotovoltaikus string inverterekben, az energiatároló rendszerekben és az elektromos járművek töltésében való alkalmazásokhoz.