Infineon випускає перший дискретний пристрій CoolSiC™ MOSFET на 2000 В

Infineon нещодавно випустила перший на ринку MOSFET-дискретний пристрій CoolSiC™ з напругою пробою 2000 В. Пристрій має низькі втрати при перемиканні та доступний у корпусі TO-247PLUS-4-HCC із довжиною шляху витоку 14 мм та електричним зазором 5,4 мм. Ці характеристики роблять його дуже придатним для застосування в фотоелектричних струнних інверторах на 1500 В постійного струму, системах зберігання енергії та зарядці електромобілів.