Infineon ने पहला 2000V CoolSiC™ MOSFET असतत डिवाइस लॉन्च किया

Infineon ने हाल ही में 2000V के ब्रेकडाउन वोल्टेज के साथ बाजार का पहला CoolSiC™ MOSFET असतत डिवाइस जारी किया है। डिवाइस में स्विचिंग हानि कम है और यह TO-247PLUS-4-HCC पैकेज में 14 मिमी की क्रीपेज दूरी और 5.4 मिमी की विद्युत निकासी के साथ उपलब्ध है। ये विशेषताएँ इसे 1500VDC फोटोवोल्टिक स्ट्रिंग इनवर्टर, ऊर्जा भंडारण प्रणालियों और इलेक्ट्रिक वाहन चार्जिंग में अनुप्रयोगों के लिए बहुत उपयुक्त बनाती हैं।