Infineon ra mắt thiết bị rời MOSFET 2000V CoolSiC™ đầu tiên

Infineon gần đây đã phát hành thiết bị rời CoolSiC™ MOSFET đầu tiên trên thị trường với điện áp đánh thủng 2000V. Thiết bị này có tổn thất chuyển mạch thấp và có sẵn trong gói TO-247PLUS-4-HCC với khoảng cách rò rỉ là 14mm và khoảng hở điện là 5,4mm. Những đặc điểm này làm cho nó rất phù hợp cho các ứng dụng trong bộ biến tần chuỗi quang điện 1500VDC, hệ thống lưu trữ năng lượng và sạc xe điện.