Infineon meluncurkan perangkat diskrit MOSFET 2000V CoolSiC™ pertama

Infineon baru-baru ini merilis perangkat diskrit CoolSiC™ MOSFET pertama di pasar dengan tegangan tembus 2000V. Perangkat ini memiliki kerugian peralihan yang rendah dan tersedia dalam paket TO-247PLUS-4-HCC dengan jarak rambat 14 mm dan jarak bebas listrik 5,4 mm. Karakteristik ini membuatnya sangat cocok untuk aplikasi inverter string fotovoltaik 1500VDC, sistem penyimpanan energi, dan pengisian daya kendaraan listrik.