Infineon melancarkan peranti diskret 2000V CoolSiC™ MOSFET pertama

Infineon baru-baru ini mengeluarkan peranti diskret CoolSiC™ MOSFET pertama di pasaran dengan voltan kerosakan 2000V. Peranti ini mempunyai kehilangan pensuisan yang rendah dan tersedia dalam pakej TO-247PLUS-4-HCC dengan jarak rayapan 14mm dan pelepasan elektrik 5.4mm. Ciri-ciri ini menjadikannya sangat sesuai untuk aplikasi dalam penyongsang rentetan fotovoltaik 1500VDC, sistem penyimpanan tenaga dan pengecasan kenderaan elektrik.