Infineon اولین دستگاه مجزای 2000V CoolSiC™ MOSFET را راه اندازی کرد

Infineon اخیراً اولین دستگاه مجزای CoolSiC™ MOSFET را با ولتاژ شکست 2000 ولت عرضه کرده است. این دستگاه تلفات سوئیچینگ پایینی دارد و در بسته بندی TO-247PLUS-4-HCC با فاصله خزش 14 میلی متر و فاصله الکتریکی 5.4 میلی متر موجود است. این ویژگی ها آن را برای کاربرد در اینورترهای رشته فتوولتائیک 1500 VDC، سیستم های ذخیره انرژی و شارژ وسایل نقلیه الکتریکی بسیار مناسب می کند.