Infineon משיקה מכשיר 2000V CoolSiC™ MOSFET דיסקרטי ראשון

Infineon הוציאה לאחרונה את המכשיר הדיסקרטי CoolSiC™ MOSFET הראשון בשוק עם מתח שבר של 2000V. למכשיר הפסדי מיתוג נמוכים והוא זמין באריזת TO-247PLUS-4-HCC עם מרחק זחילה של 14 מ"מ ומרווח חשמלי של 5.4 מ"מ. מאפיינים אלו הופכים אותו למתאים מאוד ליישומים בממירי מיתר פוטו-וולטאיים של 1500VDC, מערכות אחסון אנרגיה וטעינת רכב חשמלי.