Infineon omoñepyrũ peteĩha tembipuru discreto 2000V CoolSiCTM MOSFET

Nda’aréi Infineon oguenohẽ mercado-pe peteĩha dispositivo discreto CoolSiCTM MOSFET orekóva tensión de ruptura 2000V. Ko dispositivo oreko baja pérdida de conmutación ha ojeguereko peteî paquete TO-247PLUS-4-HCC orekóva distancia de arrastre 14mm ha peteî despeje eléctrico 5,4mm. Ko'ã característica ojapo oñemohenda porãiterei umi aplicación inversor de cuerda fotovoltaica 1500VDC, sistema de almacenamiento energía ha carga vehículo eléctrico.