Tianrui pusvadītāju projekts parakstīts Fudzjaņā

Tianrui Semiconductor projekts tika parakstīts Fudžou pilsētā, Fudzjaņas provincē, ar kopējo ieguldījumu 5 miljardu juaņu apmērā. Tajā tiks uzbūvēta jauna 8 collu silīcija karbīda (SiC) un gallija nitrīda (GaN) vafeļu rūpnīca, lai izkārtotu visu trešo. paaudzes pusvadītāju rūpniecības ķēde.