Fudziane pasirašytas Tianrui puslaidininkių projektas

„Tianrui Semiconductor“ projektas buvo pasirašytas Fudžou mieste, Fudziano provincijoje, į kurį iš viso investuota 5 milijardai juanių. Joje bus pastatyta nauja 8 colių silicio karbido (SiC) ir galio nitrido (GaN) plokštelių gamykla, kuri išdėstys visą trečiąjį. kartos puslaidininkių pramonės grandinę.