SK Hynix on poistunut, Samsungista tulee NVIDIA HBM3E -muistin yksinoikeustoimittaja

Raporttien mukaan SK Hynixin joissakin projekteissa kohtaamien ongelmien vuoksi Nvidian tarvitsema 12-kerroksinen HBM3E-muisti tulee yksinomaan Samsungilta. HBM3E-muisti vaatii useiden DRAM-kerrosten yhdistämisen peruskiekon läpivientien (TSV) kautta. Ensimmäinen tuoteerä käyttää 8-kerroksista pinoa, jonka kapasiteetti on 24 Gt. Vaikka SK Hynix lähetti näytteitä Nvidialle, se ei lopulta onnistunut lanseeraamaan 12-kerroksista HBM3E-tuotetta. Samsung on kehittänyt menestyksekkäästi alan ensimmäisen 12-kerroksisen pinottu HBM3E:n ja sen odotetaan aloittavan massatuotannon tämän vuoden toisella puoliskolla.