SK Hynix è uscito, Samsung diventa fornitore esclusivo delle memorie NVIDIA HBM3E

Secondo quanto riferito, a causa dei problemi riscontrati da SK Hynix in alcuni progetti, la memoria HBM3E a 12 strati richiesta da Nvidia sarà fornita esclusivamente da Samsung. La memoria HBM3E richiede il collegamento di più strati di DRAM attraverso i vias di silicio (TSV) sul wafer di base. Il primo lotto di prodotti utilizza uno stack a 8 strati con una capacità di 24 GB. Sebbene SK Hynix abbia inviato campioni a Nvidia, alla fine non è riuscita a lanciare il prodotto HBM3E a 12 strati. Samsung ha sviluppato con successo il primo HBM3E impilato a 12 strati del settore e si prevede che inizierà la produzione di massa nella seconda metà di quest'anno.