SK Hynix ออกมาแล้ว Samsung กลายเป็นซัพพลายเออร์หน่วยความจำ NVIDIA HBM3E แต่เพียงผู้เดียว

ตามรายงาน เนื่องจากปัญหาที่ SK Hynix พบในบางโครงการ หน่วยความจำ HBM3E 12 เลเยอร์ที่ Nvidia ต้องการจะจัดจำหน่ายโดย Samsung แต่เพียงผู้เดียว หน่วยความจำ HBM3E จำเป็นต้องเชื่อมต่อ DRAM หลายชั้นผ่านซิลิคอนไวแอส (TSV) บนเวเฟอร์ฐาน ผลิตภัณฑ์ชุดแรกใช้สแต็ก 8 ชั้นที่มีความจุ 24GB แม้ว่า SK Hynix จะส่งตัวอย่างไปยัง Nvidia แต่ท้ายที่สุดก็ล้มเหลวในการเปิดตัวผลิตภัณฑ์ HBM3E 12 เลเยอร์ Samsung ประสบความสำเร็จในการพัฒนา HBM3E แบบเรียงซ้อน 12 เลเยอร์ตัวแรกของอุตสาหกรรม และคาดว่าจะเริ่มการผลิตจำนวนมากในช่วงครึ่งหลังของปีนี้