SK Hynix keluar, Samsung menjadi pembekal eksklusif memori NVIDIA HBM3E

Menurut laporan, disebabkan masalah yang dihadapi oleh SK Hynix dalam beberapa projek, memori HBM3E 12 lapisan yang diperlukan oleh Nvidia akan dibekalkan secara eksklusif oleh Samsung. Memori HBM3E memerlukan penyambungan berbilang lapisan DRAM melalui melalui silikon vias (TSV) pada wafer asas Kumpulan pertama produk menggunakan tindanan 8 lapisan dengan kapasiti 24GB. Walaupun SK Hynix menghantar sampel kepada Nvidia, ia akhirnya gagal melancarkan produk HBM3E 12 lapisan. Samsung telah berjaya membangunkan HBM3E bertindan 12 lapisan pertama dalam industri dan dijangka memulakan pengeluaran besar-besaran pada separuh kedua tahun ini.