無錫新潔能總部及產業化基地計畫啟動

無錫新潔能總部及產業化基地計畫預計新增用地約47.5畝，總建築面積約7萬平方公尺。本計畫將用於第三代半導體碳化矽/氮化鎵功率元件及封測、功率驅動IC及智慧功率模組（IPM）、SiC/IGBT/MOSFET等功率整合模組（含車規級）的研發及產業化。