សមា្ភារៈក្រានីតស៊ីលីកុនកាបូនអ៊ីដ្រាតថ្នាក់ទីអេឡិចត្រូនិចរបស់ Hesheng Silicon Industry និងគម្រោងកាត់សន្លឹកត្រៀមនឹងដាក់ចូលទៅក្នុងការផលិតសាកល្បង

ទិន្នផលប្រចាំឆ្នាំរបស់ Hoshine Silicon នៃ 800 តោននៃវត្ថុធាតុដើម silicon carbide granular អេឡិចត្រូនិ 800 តោន និង 600,000 silicon carbide wafers នឹងចាប់ផ្តើមផលិតសាកល្បងនៅដើមខែមីនា ហើយត្រូវបានដាក់ឱ្យដំណើរការជាផ្លូវការនៅចុងខែមីនា។ គម្រោង​នេះ​មាន​ផ្ទៃដី​ប្រមាណ ១៩០ ហិចតា និង​មាន​ទុន​វិនិយោគ​សរុប ២ ពាន់​លាន​យន់។