삼성전자, 올해 12월 6세대 10나노급 D램 양산 개시 예정

삼성전자는 올해 12월 고객 인증을 받아 6세대 10나노급 D램을 양산할 계획이다. 이 제품은 최첨단 극자외선(EUV) 리소그래피 공정을 사용해 기존 5세대 10nm급 제품보다 더 높은 Net Die(웨이퍼당 생산할 수 있는 칩 수)를 달성하고 전력 효율성을 향상시킬 수 있습니다.