Samsung Electronics planea comenzar la producción en masa de DRAM de 10 nm de sexta generación en diciembre de este año.

Samsung Electronics planea aceptar la certificación del cliente y comenzar la producción en masa de DRAM de clase 10 nm de sexta generación en diciembre de este año. Este producto utilizará un proceso de litografía ultravioleta extrema (EUV) de vanguardia, que puede lograr un Net Die más alto (la cantidad de chips que se pueden producir por oblea) y mejorar la eficiencia energética de los productos de clase de 10 nm de quinta generación anteriores.